ネットワーク型共同研究拠点を支える 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス 研究者データベース

半導体の微細化を支えているリソグラフィ技術では、レジストと呼ばれる感光性素材材料・プロセスを用いている。パターニング材料として利用されているレジスト素材のベース(樹脂)には、様々な高分子化合物が利用されている。しかし、これらの高分子を使ったレジストで作られるパターンの線幅は、最先端の研究においては10nm程度であり、高分子鎖数個にも満たないパターンを作れるまでに至っている。そのため、従来材料の高分子と異なる新規材料とプロセスが必須である。

Photoreactive materials (referred to as “resists”) and related processes play a significant role in the miniaturization of semiconductor devices. In semiconductor lithography patterning, various types of polymers are used. However, present patterning targets are reaching sizes that are as small as the basic units of the materials utilized. For this reason, the research of next generation resist materials and processes are of significant importance.

次世代パターニング材料（材料分野）とそれを用いたナノ微細加工プロセス（プロセス分野）の基盤的研究を行い、次世代微細加工技術の発展に資する。

The main goal of this research is to contribute to the advancement of patterning technologies, through the extensive search of next generation materials. Furthermore, fundamental research of related resist processes, especially focusing on the real-time characterization of resist dissolution during the development process.