ISIR

The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University

大阪大学
産業科学研究所

LAST UPDATE 2019/08/08

  • 研究者氏名
    Researcher Name

    岡本一将　kazumasa OKAMOTO
    助教　Assistant Professor

  • 所属
    Professional Affiliation

    大阪大学産業科学研究所
    The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University

    量子ビーム物質科学研究分野
    Department of beam materials science

  • 研究キーワード
    Research Keywords

    リソグラフィ
    レジスト材料
    量子ビームプロセス
    Lithography
    Resist materials
    Quantum beam process
研究テーマ
Research Subject
量子ビームプロセス機構の解明と高度化
Elucidation and improvement of quantum beam process mechanism

研究の背景 Background

電子線、Ｘ線やレーザー光などの量子ビームは、物質に照射することにより、様々な化学・物理的作用を起こします。半導体量産用レジスト材料をはじめとする有機・無機物質に量子ビームを照射することによって生じる反応機構の解明は、材料の高性能化につながることから重要な課題となっています。

Quantum beam such as electron beam, X-ray, and laser light cause various chemical and physical effects on irradiating materials. Elucidating the reaction mechanism that occurs by quantum beam irradiations to organics and inorganics such as resist materials for mass production of semiconductor devices is an important issue, because it leads to the enhancement of material performance.

研究の目標 Outcome

レジストをはじめとする種々の機能性を有する材料の放射線化学反応を明らかにすることによって、それらの性能を向上できる新規プロセスや材料の化学組成を探索し、極端紫外線(EUV)や電子線といった量子ビームを用いた半導体量産用極微細加工を始めとするナノプロセスの発展・高度化を目指しています。

By clarifying the radiation chemical reactions of various functional materials, we seek new processes and chemical compositions of materials in order to improve their performance. And, we investigate the nanoprocesses such as ultra-fine processing for semiconductor mass production using quantum beam such as extreme ultraviolet (EUV) and electron beam to enhance the performances.

研究図Research Figure

Fig.1. Transient absorption spectra of radical ions of hydroxyhexafluoroisopropyl benzenes obtained by pulse radiolysis in THF and dichloroethane (DCE).

Fig.2. Acid generation mechanism in chemically amplified resist (CAR) upon adding di-p-tolyl sulfone(DTS) after ionization (upper). Sensitivity curves of CAR with and without additives after 100 kV electron beam exposure (lower).

文献 / Publications

J. Phys. Chem. A,121(49), 9458 (2017)., Jpn. J. Appl. Phys., 56, 06GD01 (2017)., Sci. Rep., 8, 177(2018).

研究者HP