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グラフェンやナノグラファイト、ナノダイヤモンドなどのナノ炭素材料は高電子移動度や高熱伝導率など、機械的・電気的に優れた特性を持っているため、その応用に向けた合成方法が課題となっています。特に既存の電子デバイス材料であるケイ素との複合化を目指した「低温成長」や「低ダメージ合成」が必要とされています。

Nano-carbon materials such as graphene, nano-graphite, and nano-diamond have superior mechanical and electrical properties, so that synthesis methods of these nano materials are required . Especially, developments of “low temperature synthesis” and “low damage synthesis” are necessary to combine between nano-carbon materials and silicon which is used the substrate in existing electric devices.

CVDで合成したナノ炭素材料の分光評価を通じて、成長プロセス素過程の解明を進めます。これにより得られた知見を元に、低温で且つ下地基板にダメージを与えないナノ炭素材料合成方法の開発を目標とします。また光電子分光や吸収分光で得られたスペクトルの新たな解析手法の開発にも取り組みます。

The elementary steps of CVD growth of nano-carbon materials are clarified through the spectroscopic evaluation of the synthesized materials. Using these knowledge, “low temperature” and “low damage” synthesis will be achieved. In addition, new evaluation procedure of photoelectron and absorption spectra will also developed to investigate the CVD processes of nano-carbon materials.