ISIR

The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University

大阪大学
産業科学研究所

LAST UPDATE 2017/02/26

  • 研究者氏名
    Researcher Name

    須藤孝一　Koichi SUDOH
    准教授　Associate Professor

  • 所属
    Professional Affiliation

    大阪大学産業科学研究所
    The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University

    先進電子デバイス研究分野
    Department of Advanced Electron Devices

  • 研究キーワード
    Research Keywords

    表面・界面
    形態変化
    結晶成長
    数理モデリング
    Surface and interface
    Structure evolution
    Crystal growth
    Mathematical modeling
研究テーマ
Research Subject
固体材料の形態形成メカニズムに関する研究
Research on the mechanism of structure formation of solid materials

研究の背景 Background

固体デバイスの開発・製造では，結晶成長，薄膜形成，高温アニール処理などのデバイス形成プロセスにおいて表面・界面形態の精密な制御が重要な課題となっています．そこで、こうした非平衡プロセスにおける表面・界面形態の時間発展を物理的に理解し，予測出来るようにしてゆくことが求められています．

For device fabrication technology, precisely controlling the surface and interface morphology in various process, such as crystal growth, thin film formation, and high temperature anneal, is crucial issue. Therefore, understanding and predicting the structure evolution in such nonequilibrium processes is highly required.

研究の目標 Outcome

デバイス製造プロセスにおける表面・界面の形態形成に興味を持ち，実験と理論の両面から研究を進めています．様々なデバイス製造プロセスにおける表面・界面の形態形成のしくみを理解し，さらに時間発展を記述する現象論的な数理モデルを構築することによって，表面・界面形態の予測と制御を可能にしてゆきたいと考えています．

My research interest focuses on the evolution of surface and interface morphology in device fabrication processes. The central aim of my research projects is to solve technological problems in the device fabrication processes, understanding the mechanism of structure evolution and developing phenomenological mathematical models for predicting the evolution.

研究図Research Figure

Fig.1. Simulation of shape evolution of high-aspect-ratio holes on Si(001) substrates during high temperature annealing. Fig.2. Morphological evolution induced by interfacial reaction of Si islands on SiO2 during annealing. Fig.3. Thermal relaxation of labyrinthine submonolayer films on SrTiO3(001) surfaces.

文献 / Publications

J. Appl. Phys., 108, 083520 (2010). J. Appl. Phys., 183512 (2013). Surf. Sci., 609, L1 (2013). Langmuir, 30, 2738 (2014).

研究者HP