RIES

Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University

北海道大学
電子科学研究所

LAST UPDATE 2017/02/25

  • 研究者氏名
    Researcher Name

    山ノ内路彦 Michihiko YAMANOUCHI
    准教授 Associate Professor
  • 所属
    Professional Affiliation

    北海道大学電子科学研究所
    Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University

    物質科学研究部門・薄膜機能材料研究分野
    Laboratory of Functional Thin Film Materials, Materials and Molecular Sciences
  • 研究キーワード
    Research Keywords

    パルスレーザ堆積
    スピントロニクス
    酸化物ハーフメタル
    Pulsed laser deposition
    Spintronics
    Oxide half metal
研究テーマ
Research Subject
酸化物スピントロニクスデバイス
Oxide spintronics devices

研究の背景 Background

電子のもつスピンと電荷の両方の自由度を利用するスピントロニクスデバイスは、低消費電力なエレクトロニクスの構成素子として注目されています。これまでに金属、及び半導体をベースとしたスピントロニクスデバイスの研究が盛んに行われてきました。それらの機能と機能性酸化物材料の示すハーフメタル性、金属絶縁体転移などの性質を組み合わせることにより、さらに高機能なスピントロニクスデバイスの実現が期待されます。

Spintronics devices utilizing both of electron’s charge and spin degrees of freedom have attracted considerable attention because of their potential in realizing lower–power electronics. So far, spintronics devices based on metal and semiconductor systems have been intensively studied. By combining their functions with features such as half metallic nature and metal–insulator transition in functional oxide materials, realization of advanced spintronics devices is expected.

研究の目標 Outcome

私たちは機能性酸化物材料を用いた高機能スピントロニクスデバイスの創成をめざしています。そのために、酸化物ハーフメタル薄膜を用いたスピントロニクスデバイスに関する研究を始めています。また、新規酸化物ハーフメタル材料の探索や金属絶縁体転移とスピントロニクス現象を利用したデバイスに関する研究に取り組む予定です。

Our goal is realization of advanced spintronics devices utilizing functional oxide materials. We have started to study spintronics devices made of an oxide half metal. We are also planning to investigate new oxide half metal and spintronics devices, which bring out both of metal–insulator transition and spin related phenomena.

研究図Research Figure

Fig.1. Temperature dependence of saturation magnetization and magnetization curve at 300 K for an oxide half metal La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO). Fig.2. A Hall bar structure made of LSMO and jump in longitudinal resistance R related to anisotropic magnetoresistance of domain wall (DW). Fig.3. Time dependence of normalized R after applying various magnetic fields in LSMO device shown in Fig. 2. Magnetic field induced DW motion has been observed.

文献 / Publications

Nature 428, 539 (2004). Phys. Rev. Lett. 63, 096601 (2006). Science 317, 1726 (2007). J. Appl. Phys. 109, 07C712 (2011). IEEE Magn. Lett. 2, 3000304 (2011). Appl. Phys. Lett. 102, 212408 (2013).

研究者HP